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ATP112
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID= -- 1mA, VGS=0V
VDS= -- 60V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
--60
--1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
VDS= -- 10V, ID= -- 1mA
VDS= -- 10V, ID= --13 A
ID= -- 13A, VGS= -- 10V
--1.2
24
33
--2.6
43
V
S
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID= -- 7A, VGS= -- 4.5V
ID= -- 3.5A, VGS= -- 4V
VDS=--20V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--25A
IS=--25A, VGS=0V
42
45
1450
155
125
10
80
150
120
33.5
5.3
7.9
--0.97
59
63
--1.5
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
0V
--10V
VIN
VIN
VDD= --30V
ID=13A
RL=2.3 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
D
VOUT
P.G
50 Ω
S
ATP112
Ordering Information
Device
ATP112-TL-H
Package
ATPAK
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A1754-2/7
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